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正向导通压降
压降：二极管的电流流过负载以后相对于统一参考点的电势（电位）转变称为电压降，简称压降。
导通压降：二极管开shi导通时对应的电压。
正向特征：在二极管外加正向电压时，在正向特征的起shi部门，正向电压很小，不足以战胜PN结内电chang的阻挡作用，正向电流险些为零。当正向电压大到足以战胜PN结电chang时，二极管正向导通，电流随电压zeng大而迅速上升。
反向特征：外加反向电压不凌驾一定规模时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很�。艽τ谧柚棺刺�。反向电压zeng大到一定水平后，二极管反向击穿。
正向导通压降与导通电流的关系
在二极管两头加正向偏置电压时，其内部电chang区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压到达某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才气真正导通。但二极管的导通压降是恒定稳固的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管举行导通电流与导通压降的关系测试，可获得如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，以是在价钱条件允许下，只管选择导通压降小、额定事情电流较现实电流高一倍的二极管。
图1 二极管导通压降测试电路
图2 导通压降与导通电流关系
在我们开发产物的历程中，崎岖温情形对电子元器件的影响才是产物稳固事情的最大障碍。情形温度对绝大部门电子元器件的影响无疑是重大的，二极管虽然也不破例，在崎岖温情形下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与情形温度成反比。在情形温度为-45℃时虽导通压降最大，却不影响二极管的稳固性，但在情形温度为75℃时，外壳温度却已凌驾了数据手册给出的125℃，则gai二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。
表 1 导通压降与导通电流测试数据
图3 导通压降与情形温度关系曲线
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额定电流、最大正向电流IF
额定电流IF指二极管恒久运行时，凭证运行温升折算出来的平均电流值。现在最大功率整流二极管的IF值可达1000A。
是指二极管恒久一连事情时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。由于电流通过管子时会使管芯发烧，温度上升，温度凌驾允许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。以是在划定散热条件下，二极管使用中不要凌驾二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向事情电流为1A。
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最大平均整流电流Io
最大平均整流电流IO：在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。折算设计时很是主要的值。
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最大浪涌电流IFSM
运行流过的过量的正向电流。不是正常的电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
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最大反向峰值电压VRM
纵然没有反向电流，只要一直地提高反向电压，早晚会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是重复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的最大值是划定的主要因子。最大反向峰值电压VRM指为阻止击穿所能加的最大反向电压。现在最高的VRM值可达几千伏。
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最大反向电压VR
上述最大反向峰值电压是重复加上的峰值电压，VR是一连加直流电压的值。用于直流电流，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很主要的。
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最高事情频率fM
由于PN结的结电容存在，当事情频率凌驾某一值时，它的单向导电性将变差。点接触式二极管的fM值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一ban不高于几千Hz。
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反向恢复时间Trr
当正向事情电压从正向电压酿成反向电压时，二极管事情的理想qing况是电流能瞬时阻止。现实上，一ban要延迟一点点时间。决议电流阻止延时的量，就是反向恢复时间。
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最大功率P
二极管中有电流流过，就会吸热，而使自shen温度升高。最大功率P为功率的最大值。详细讲就是加载二极管两头的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管，可变电阻二极管显得特殊主要。
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反向饱和泄电流IR
指在二极管两头加入反向电压时，流过二极管的电流，gai电流与半导体质料和温度有关。在常温下，硅管的IR为nA（10-9A）级，鍺管的IR为mA（10-6A）级
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降额（结温降额）
降额可以提高产物可靠性，延伸使用寿命，凭证温度降低10℃寿命zeng加一倍的理论，下面列出了差异额定结温的管子最小降额结温数据。
表1 二极管降额
额定值TjM | 125℃ | 150℃ | 175℃ | 200℃ |
降额后可使用的TjM | 110℃ | 135℃ | 160℃ | 185℃ |
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安规
在选型阶段应gai思量到器件是否通过了安规认证，主要应gai思量功率器件。一ban为各国普遍接受的安规认证类型有UL（北美）、CSA（加拿大）、TUV（德国）、VDE等
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可靠性设计
准确选用器件及器件周边的线路设计、机械设计和热设计等来控制器件在整机中的事情条件，防止州不适当的应力或者操作给器件带来损伤，从而最大限度地施展器件的固有可靠性。
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容差设计
设计单板时，应放宽器件的参数允许转变的规模（包罗制造容差、温度漂移、时间漂移），襶uanＶて骷牟问谝欢ü婺Ｄ谧涫�，单板能正常事情。
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榨取选用封装
榨取选用轴向插装的二极管封装、榨取选用Open-junction二极管。
O/J是OPEN JUNCTION的晶圆扩散工艺，在晶圆扩散后切片成晶粒，晶粒的边缘是粗拙的，电性能不稳固，需要用混淆酸（主要因素为氢氟酸）洗掉边缘，然后包以硅胶并封装成型，可信托性较差。
GPP是Glassivation passivation parts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称，gai产物就是在现有产物通俗硅整流扩散片的基础上对拟支解的管芯P/N结面周围烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的团结特征，使P/N结获得最佳的掩护，免受外界情形的扰乱，提高器件的稳固性，可信托性极佳。
O/J的散热性没有GPP的好，两者本质结构截然差异:O/J芯片需要经由酸洗后加铜片焊接配合硅胶封装，内部结构上显得比GPP的大；GPP芯片造的整流桥免去了酸洗、上硅胶等步骤，直接与整流桥的铜毗连片焊接。内部结构显的比O/J芯片制造而成的小。才造成直观的、习惯性的误解。
GPP芯片和OJ芯片的综合评价：
1、GPP芯片在wafer阶段即完成玻璃钝化，并可实验VR的probe testing，而OJ芯片只有在制得制品后测试VR。
2、VRM为1000V的GPP芯片，通常从P+面开槽和举行玻璃钝化，台面呈负斜角结构(外貌电chang强度高于体内)，而OJ芯片的切割不存在斜角。
3、GPP芯片的玻璃钝化漫衍在pn结部门区域(不像GPRC芯片对整个断面实验玻璃钝化，而OJ芯片对整个断面施加硅橡胶掩护。
4、GPP芯片由于机械切割的缘故原由留下切割损伤层，而OJ芯片的切割损伤层可经化学侵蚀去除掉。
5、GPP芯片接纳特殊高温熔融无机玻璃膜钝化，Tjm及HTIR稳固性高于用有机硅橡胶掩护的OJ制品。
6、GPP芯片适合小型化、薄型化、LLP封装，而OJ芯片适合引出线封装。
在制作工艺上的区别：
（1）OJ的芯片必须经由焊接、酸洗、钝化、上白胶、成型固化烘烤等步骤,其电性（反向电压）与封装酸洗工艺亲近相关，通例封装形式为插件式。
（2）而GPP在芯片片制造工艺中已包罗酸洗、钝化。其电性由芯片片直接决议，常见封状形式为贴片式。
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